32μm 10G InGaAs fotodiod TO46

 

 

• Hög responsivitet (större än eller lika med 0,7A/W): Säkerställer effektiv signalkonvertering, vilket minskar strömförbrukningen för storskalig produktion av optiska moduler-idealiskt för grossistköpare av InGaAs Photodiode TO46 fokuserade på energieffektivitet.

• Låg mörkström (mindre än eller lika med 1nA @5V): Minimerar signalbrus, avgörande för-telekom- och avkänningsapplikationer med hög precision. Denna fördel sänker felfrekvensen för bulkdistributioner.

• Låg kapacitans (mindre än eller lika med 0,25pF): Möjliggör stabil 10G-bandbreddsprestanda som uppfyller hastighetskraven för 10G SFP+-moduler och datacenternätverk.

• Lasersvets & TO-CAN-paket: Förbättrar mekanisk stabilitet och termisk motstånd (-40~85 graders drifttemperatur), säkerställer en lång livslängd (större än eller lika med 50 000 timmar) och minskar ersättningskostnaderna för bulkköp InGaAs Photodiode-klienter.

• Låg avkastningsförlust (större än eller lika med 35dB): Minskar signalreflektion, förbättrar systemintegriteten-nödvändigt för telekominfrastrukturprojekt.

 

 

• Telekomnätverk: Kompatibel med SDH/SONET-system, stöder hög-signalmottagning i långa-fiberoptiska länkar-perfekt för hög tillförlitlighet 32μm InGaAs Fotodiod för telekomupphandling.

• 10G SFP+ optiska moduler: Används i datacentersändtagare för att konvertera optiska signaler till elektriska signaler, med låg kapacitans (mindre än eller lika med 0,25pF) vilket säkerställer minimal signalförlust.

• Fiberoptisk avkänning: Idealisk för industriella avkänningssystem (t.ex. laseravstånd, temperaturövervakning) tack vare dess breda arbetsvåglängd (1100-1650nm) och låg mörkström.

• Industriell automation: Integrerad i optisk kommunikationsutrustning för fabriksautomation, där lång livslängd (via lasersvetsning) minskar underhållskostnaderna för grossistköpare av InGaAs Photodiode TO46.

 

Säljande enheter	Enstaka föremål
Enkel förpackningsstorlek	20X15X5 cm (Flexibel förpackning, lämplig för internationell transport)
Enkel bruttovikt	0,250 kg

Kvantitet (styck)	1 - 100	101 - 1000	1001 - 10000	> 10000
Ledtid (dagar)	14	20	30	Ska förhandlas

Vi erbjuder skräddarsydda InGaAs Photodiode ODM-lösningar för att matcha dina specifika krav:

• Anpassningsbara parametrar: Ljuskänsligt områdesdiameter (32μm/50μm/75μm), förpackningstyp (TO46/TO56), ledningslängd och linsdesign.

• Utvecklingscykel: 7-15 dagar (prov först; bulkproduktion startar efter provgodkännande).

 

Parameter	Symbol	Min.	Typ	Max.	Enhet
Mättnadskraft	Ps	3	-	-	dBm
Framåtström	Om	-	-	10	mA
Omkastarspänning	Vr	-	5	15	V
Driftfallstemperatur	Bästa	-40	-	85	grad
Förvaringstemperatur	Tstg	-40	-	85	grad
Blylödning (temperatur/tid)	-	-	260/10	-	examen /Sek

 

Parameter	Symbol	Min.	Typ	Max.	Enhet	Testtillstånd
Driftsvåglängd	λ	1100	-	1650	nm
Responsivitet	R	0.7	-	-	A/W	Vr=5V,λ=1310nm
Mörk ström	Id	-	0.2	1	nA	Vr=5V
Kapacitans	C	-	-	0.25	pF	Vr=5V,f=1MHz,hölje öppet
Bandbredd	Bw	10	-	-	GHz	Vr=5V,50 belastning med blylängd=6mm, hölje öppen
Optisk returförlust	RL	35	-	-	dB	λ=1310nm

 

Populära Taggar: 32μm 10g ingaas fotodiod till46, Kina 32μm 10g ingaas fotodiod till46 tillverkare, leverantörer, fabrik